硅摻雜對高溫高壓合成金剛石大單晶生長的影響
金剛石具有極其優(yōu)異的性能,例如最高的硬度和最大的導(dǎo)熱率,極寬的透光波段以及耐酸堿腐蝕性能強(qiáng)等特點(diǎn)。同時,金剛石的相關(guān)色心缺陷,如氮空位(NV)中心、硅空位(Si?V)中心等在室溫下具有很高的光穩(wěn)定性,使得金剛石成為量子物理學(xué)中潛在的重要基礎(chǔ)材料。例如,元素六近日正式推出首款商用量子金剛石,為那些研究氮空位中心(用于量子演示、脈射器、射頻輻射探測、陀螺儀、傳感和進(jìn)一步項目)的學(xué)者提供了一種理想的初始材料,詳細(xì)內(nèi)容可點(diǎn)擊此處閱讀。
眾所周知,天然鉆石形成于地球深處,硅是地幔巖石和諸多礦物中含量都很高的元素,進(jìn)而與硅有關(guān)的雜質(zhì)也廣泛存在于天然鉆石中。因此,在高溫高壓(HPHT)條件下開展硅摻雜金剛石相關(guān)的研究,不僅可以有效拓展金剛石的功能化,而且有助于深入理解和探討硅相關(guān)雜質(zhì)的存在對天然金剛石生長的影響。
賈曉鵬教授團(tuán)隊青年教師房超博士在國產(chǎn)六面頂液壓機(jī)上,利用利用溫度梯度法,開展了高溫高壓下硅摻雜金剛石大單晶相關(guān)的合成研究,硅粉在鎳基金屬觸媒體系中的添加量為:0.25wt%~8.0 wt%,用以探究硅濃度的變化對金剛石大單晶生長的影響,實驗組裝如下圖1:
圖1.HPHT合成金剛石組裝示意圖:(A)合金頂錘+葉臘石塊;(B)樣品組裝示意圖:1.導(dǎo)電鋼圈;2.稱管;3.石墨碳源;4.合成的金剛石單晶;5.石墨加熱管;6.葉臘石塊;7.堵頭;8.鎳基金屬觸媒;9.金剛石籽晶。
圖2. 鎳基金屬觸媒體系添加硅合成金剛石晶體的光學(xué)照片:(a)0.25 wt.%;(b)0.5 wt.%;(c)1.0 wt.%;(d)2.0 wt.%;(e)3.0 wt.%;(f)?(j)分別對應(yīng)(a)?(e)的側(cè)視圖。
圖3. 鎳基金屬觸媒體系添加硅合成金剛石晶體的光學(xué)照片:(a)4.0wt%;(b)5.0wt%;(c)6.0wt%;(d)8.0wt%;(e)?(g)分別對應(yīng)(a)?(c)的側(cè)視圖;(h)對應(yīng)(d)的局部放大圖。
通過金剛石大單晶生長的光學(xué)照片和相關(guān)實驗結(jié)果的分析發(fā)現(xiàn),合成腔體中硅含量的增加會導(dǎo)致金剛石夾雜物(包裹體)的分布呈現(xiàn)出由點(diǎn)狀→片狀→串狀(柱狀)的趨勢。在一定合成條件下,硅摻雜量超過一定量后較難生長出完整晶體。實驗研究還表明,硅摻雜量的增加可導(dǎo)致晶體內(nèi)部石墨相關(guān)雜質(zhì)和應(yīng)力的增加,影響金剛石的晶體質(zhì)量。
同時,通過紅外光譜相關(guān)的表征分析,作者發(fā)現(xiàn)硅元素添加量的增加可降低合成金剛石晶體內(nèi)部的氮含量,如下圖4所示。該發(fā)現(xiàn)表明通過控制高溫高壓合成環(huán)境中的氮濃度,可有望實現(xiàn)對硅摻雜金剛石晶體合成質(zhì)量的相應(yīng)調(diào)控。
圖4. 不同濃度硅摻雜量下生長金剛石大單晶的紅外光譜圖比較
本文關(guān)于硅摻雜金剛石大單晶的高溫高壓合成與生長特性的研究,將為未來工業(yè)化合成高質(zhì)量硅摻雜相關(guān)金剛石單晶的研究提供參考。相關(guān)研究成果以“SiDoping Effects on the Growth of Large Single-Crystal Diamond in a Ni-BasedMetal Catalyst System under High Pressure and High Temperature”為題發(fā)表在國際晶體學(xué)領(lǐng)域著名期刊CrystalGrowth & Design上,鄭州大學(xué)為第一作者單位和通訊單位,共同通訊作者為張躍文博士和張壯飛博士,文章鏈接:
。該研究工作得到國家自然科學(xué)基金、河南省高等學(xué)校重點(diǎn)科研項目、中國博士后科學(xué)基金和河南省博士后科學(xué)基金項目的支持。
作者簡介: 房超,男,博士畢業(yè)于吉林大學(xué)超硬材料國家重點(diǎn)實驗室,師從賈曉鵬教授,目前就職于鄭州大學(xué)物理學(xué)院高壓技術(shù)與超硬和功能材料物理實驗室,主要從事?lián)诫s功能化金剛石單晶的高溫高壓合成與應(yīng)用等方面研究。
E- ** il:fangchao1989@zzu.edu.cn。
(本文由中國超硬材料網(wǎng)編譯整理,作者審閱校對。)
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